[뉴스토마토 임애신기자]
SK하이닉스(000660)는 30일 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 6기가비트(GB) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품 개발에 성공했다고 전했다. 고객사에게 샘플을 공급하기 시작했으며, 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.
20나노급 기술이 적용됐다. 저전력과 고용량의 특성을 고루 갖췄다. 4단 적층하면 3GB의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력과 대기 전력 소모가 약 30% 감소한다.
패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있는 장점도 있다. 초저전압인 1.2V의 동작 전압을 통해 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성도 만족시켰다.
속도는 1866Mbps다. 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB, 듀얼 채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.
이번에 개발된 제품은 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적층하는 PoP(Package on Package)로 구성, 모바일 기기에 최적화됐다. 3GB LPDDR3 제품은 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화될 예정이다.
진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 "지난 6월 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발하게 돼 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다"며 "고사양 모바일 기기에 최적화된 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다는데 의의가 있다"고 말했다.
◇SK하이닉스가 개발한 6기가비트(GB) LPDDR3(사진=SK하이닉스)