하이닉스는 올해 투자금액을 기존의 2조3000억원에서 7500억원 늘려 3조500억원으로 확대한다고 31일 밝혔다.
하이닉스는 최근 메모리반도체 시장이 호조를 보임에 따라, 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다.
차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화할 방침이다.
하이닉스는 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.
40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다.
하이닉스는 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.
회사는 "미세공정전환 가속화와 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획"이라고 설명했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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