[뉴스토마토 신지하 기자] SK하이닉스가 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 TSMC와 손잡고 6세대 고대역폭메모리(HBM)를 개발합니다.
SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4를 개발할 계획이라고 19일 밝혔습니다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 이 같은 내용의 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다.
양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이 성능부터 개선합니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓고, 이를 TSV(실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만듭니다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지 자체 공정으로 베이스 다이를 만들어왔습니다. HBM4부터는 TSMC의 로직 초미세 선단 공정을 활용, 다양한 기능을 추가할 방침입니다.
그동안 업계에서는 HBM 성능 향상이나 최적화를 위해 베이스 다이를 파운드리사가 맡아야 할 것이라는 논의가 제기돼왔습니다.다. SK하이닉스는 성능과 전력 효율 등 고객의 폭넓은 요구에 부합하는 '맞춤형 HBM'을 생산한다는 계획입니다.
아울러 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 '칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWoS)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했습니다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유 공정입니다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당(사장)은 "TSMC와 협업해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.
케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했습니다.
신지하 기자 ab@etomato.com
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