삼성전자 '9세대 V낸드' 제품. 사진=삼성전자
[뉴스토마토 신지하 기자] 삼성전자는 업계에서 처음으로 '1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V(수직)낸드' 양산에 돌입했다고 23일 밝혔습니다. TLC은 1개 셀에 3개 비트(bit)를 저장할 수 있는 구조를 의미합니다.
9세대 V낸드에는 더미 채널 홀(동작을 수행하지 않는 여분의 채널 홀) 제거와 셀 간섭 회피(간섭 현상 제어), 셀 수명 연장 등 최첨단 기술이 적용됐습니다. 단위 면적당 저장되는 비트 수는 이전 세대(8세대 V낸드)보다 약 1.5배 증가했습니다.
삼성전자는 9세대 V낸드의 적층(저장 공간인 셀을 쌓아 올린 것) 단수를 공개하지 않았습니다. 업계에서는 해당 제품의 적층 단수가 280~290단 수준으로 추정하고 있습니다.
삼성전자는 "더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품"이라며 "채널 홀 에칭 기술로 한번에 업계 최대 단수를 뚫어 생산성이 향상됐다"고 설명했습니다.
더블 스택은 구멍 하나를 낸 낸드(싱글 스택) 2개를 붙여 적층 단수를 높이는 기술입니다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 한번에 뚫어내는 기술을 의미합니다.
9세대 V낸드에는 차세대 낸드플래시 인터페이스 '토글 5.1'이 적용됐습니다. 8세대 V낸드보다 약 33% 빠른 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원합니다. 소비 전력도 약 10% 개선됐습니다.
삼성전자는 올 하반기 '쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'도 양산할 계획이라고 밝혔습니다. QLC는 하나의 셀에 4개 비트를 저장하는 제품으로, TLC보다 정보 저장 측면에서 더 효율성이 높은 것으로 평가받습니다.
신지하 기자 ab@etomato.com
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