8일 산중위 국정감사에서 질의한 허종식 더불어민주당 의원 캡쳐. 사진=국회방송
[뉴스토마토 박혜정 인턴기자] 삼성전자 전직 임원이 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 구체적 혐의가 드러났습니다. 삼성전자 기술자료를 확보해 중국에서 반도체 개발기간을 단축하고 포상까지 수여했다는 내용이 검찰 공소장에 담겼습니다.
8일 허종식 더불어민주당 의원(산업통산자원중소벤처기업위원회 위원)이 입수한 공소장에 따르면, 삼성전자와 SK하이닉스 반도체 임원을 지낸 전 임원 B씨가 전 삼성전자 수석연구원 A씨를 통해 기술을 탈취한 혐의가 확인됩니다.
A씨는 2015년 9월부터 2016년 6월까지 9개월 동안 D램 반도체 PRP, MTS, NAND 플래시 PRP 등 반도체 핵심 자료를 유출한 것으로 기소됐습니다.
A씨는 삼성전자에서 18나노·20나노 D램 반도체 공정설계(PA) 업무를 담당하고 있었습니다. 2016년 6월15일에 퇴사(퇴직 처리 9월15일)한 A씨는 그해 8월 B씨를 대만에서 만나 이직을 제안받았습니다.
A씨는 10월부터 B씨가 싱가포르에 설립한 회사에 들어가 D램 개발에 필요한 기술 연구개발 업무를 총괄하는 PA팀장으로 합류했습니다.
이어서 2019년 중국 북경 공장, 2020년 중국 지방정부의 투자(약 4600억 원)을 받아 설립한 반도체회사에 함께 근무했습니다.
사업을 확장하는 과정에서 B씨는 삼성전자 출신 핵심 엔지니어들을 줄줄이 영입했습니다. 이들을 포함해 지난해에만 200여 명의 한국인 엔지니어가 근무한 걸로 검찰은 파악했습니다.
검찰은 B씨가 직원들에게 삼성전자의 자료를 확보해 반도체 개발기간을 단축할 것을 지시했다고 봅니다. 또 삼성의 기술 정보를 활용할 경우 포상을 수여했다고 공소장에 적시했습니다.
허종식 의원은 이 같은 공소사실에 대해 “핵심기술 유출은 기업 피해와 국가 경쟁력을 위협하는 동시에 산업 발전에도 악영향을 끼치게 된다”며 “기술 유출에 대해 엄정한 대응이 필요하고, 반도체를 비롯해 바이오, 디스플레이, 전기차 등 인력의 해외 유출에 대한 대책도 마련해야 한다”라고 강조했습니다.
박혜정 인턴기자 sunright@etomato.com
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